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三星和SK海力士将投产第五代10nm级内存芯片了吗?你知道吗?
2023-06-01 11:11:39   来源:中国商业新闻网  分享 分享到搜狐微博 分享到网易微博

数字经济时代,三星和SK海力士计划年底前投产10nm级芯片

数字经济时代,芯片扮演着重要角色。得益于人才聚集、产业升级、政策扶持等,我国的半导体产业正在蓬勃发展,并不断拉近与先进地区、企业的差距。

日前,韩国研究机构OERI在报告中称,估计韩企和中国厂商在DRAM芯片的技术差距已缩短至5年。

具体来说,三星和SK海力士计划在年底前投产第五代10nm级(1b或者说12nm)内存芯片,国产DRAM代表企业合肥长鑫今年的打算则是第二代10nm(1y或者说16/17nm)。

一般而言,DRAM每一代的演进时间是2年到2年半。

按照正常节奏,国产内存芯片完全有机会进一步缩短差距,可目前有一个比较棘手的问题在于,三星和SK海力士已经为生产更先进的DRAM芯片引入了EUV(极紫外光刻)设备,而这对我们来说,暂时还没法获取。



[责任编辑:ruirui]





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